半導體行業的單晶片加工工具

水平晶片处理

单晶圆处理

对于高均匀性、高重复性和高精度工艺控制性的高精度工艺,AP&S 单晶圆处理解决方案是您的正确选择。

AP&S 单晶圆处理解决方案适用于半导体和MEMS生产链上的各种不同工艺:清洗、干燥、蚀刻、金属蚀刻、光阻去除和金属剥离。

我们的水平晶圆传送设备能够处理所有标准尺寸的衬底:100 mm、125 mm、150 mm、200 mm 和 300 mm。

AP&S 内部实验室,即演示中心,可向您提供各种不同的单晶圆工艺演示。

單晶片工藝設備

用於水平晶圓處理的化學濕法解決方案

SPINSTEP
FLEX LINE

更多

SPINETCHER
 

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SPINLIFT-OFF

更多

SPINMASK

更多

SPINMETAL

更多

SPINRCA

更多

SPINSCRUBBER 

更多

用于半导体生产的多功能单晶片加工工具:清洁,蚀刻,剥离,干燥

SpinStep Flexline

主要优点
  • 化学品和水消耗量低
  • 模块化设计,具有最大的灵活性
  • 采用先进工艺,确保了最高的可靠性
  • 灵活用于不同尺寸:一个工艺腔室可容纳不同工艺;可方便切换不同晶圆尺寸
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 可达 12 英寸的晶圆
基板包括

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、尺寸可达 9 英寸的方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

化学湿法工艺

清洗、蚀刻、干燥、剥离、显影和工艺定制

主要技术特点
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 占用空间小,易于搬迁
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安置在外部。

具有终点检测功能的单晶片湿法加工工具,用于晶片加工和减薄

SpinEtcher

主要优点
  • 化学品和水消耗量低
  • 工艺安全性符合化学品的最高安全标准
  • 端点检测,确保最高的可靠性和工艺可控制:
  • 1.更少的过处理时间(例如:过蚀刻),确保所需的完整层蚀刻

    2.其它层的缺口和倾斜角更小

    3.不同晶圆之间具有稳定的均匀性

    4.可显著降低化学品消耗量

  • 灵活用于不同尺寸,一个工艺腔室可处理多达 5 种介质
  • 可传送薄晶圆
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 可达 12 英寸的晶圆
基板种类

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜,尺寸可达 9 英寸的方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

化学湿法

前段蚀刻、后段蚀刻和清洗、晶圆减薄、应力消除、薄膜和损伤去除

主要技术特点
  • 开放式晶圆盒、SMIF 晶圆盒、FOUP
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 按照最高的安全标准为工人和设备提供最大的安全性
  • 占用空间小,易于搬迁
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安装在外部

金属剥离单晶片处理设备可实现最佳金属层剥离

SpinLift-off

主要优点
  • 独特的工艺性能,不影响基板和结构
  • 使用 DMSO(二甲亚砜),DMSO 是一种 EH&S 非评估物质(欧盟和美国)
  • 在 30 秒内完全剥离金属层
  • 低成本工艺:可回收工艺化学品和贵金属
  • 优化工艺时间,对总产量具有积极影响
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 可达 12 英寸的晶圆
基板

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、尺寸可达 9 英寸的方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

化学湿法
  • AP&S 金属剥离解决方案适用于半导体行业所用的所有类型的金属层、合金和其他保护层如:金、银、铜铝合金等。
  • 金属剥离、光阻去除
主要技术特点
  • 为工人、环境和设备提供高安全性
  • 使用经过已验证的兆声系统进行兆声波工艺
  • 使用可选高压去离子水 (DIW) 进行高效清洗
  • 可采用溶剂(如:异丙醇)清洗
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 占用空间小,易于搬迁

光掩模湿法化学清洗,蚀刻和抗蚀剂剥离设备

SpinMask

主要优点
  • 根据不同的光掩膜设置不同配方工艺参数,具有最大的灵活性
  • 高质量清洗效果,可延长光掩膜寿命
  • 本湿法处理工具适用于各种不同的掩膜和其他基板,具有极高的通用性
  • 可快速方便地改变光掩膜尺寸,因此,具有高灵活性和生产效率
  • 化学品和水消耗量低
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 光掩膜可达 9 英寸
基板

光掩膜

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

鼻腔化学疗法
  • 光掩膜清洗、光掩膜蚀刻、光掩膜光阻去除
主要技术特点
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 按照最高的安全标准为工人、设备和环境提供最大的安全性
  • 占用空间小,易于搬迁
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安装在外部
  • 可涉及工艺:高压、单面刷、SPM、SC1、dNH4OH、CO2 离子化、兆声波系统(兆声系统/兆声波喷嘴)

金属叠层蚀刻-这是该化学湿处理设备的完美之处

SpinMetal

主要优点  
  • 端点检测,确保最高的可靠性和工艺可控性:
  • 1.更少的过处理时间(例如:过蚀刻),确保所需的完整层蚀刻

    2.其它层的切口和倾斜角更小

    3.不同晶圆之间具有稳定的均匀性

    4.可显著降低化学品消耗量

  • 可达 6 种不同的蚀刻介质
  • 晶圆的背面保护
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 晶圆可达 12 英寸
基板包括

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、尺寸可达 9 英寸的方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

化学湿法

SpinMetal 工具适用于以下材料的金属叠层蚀刻:镍铬合金、镍、铜、钴、铝、金、钛、钛钨合金、银、锑化铋等

主要技术特点
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 按照最高的安全标准为工人、设备和环境提供最大的安全性
  • 占用空间小,易于搬迁
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安装在外部。小型化学品系统链接

RCA clean可在微電子產品生產中有效去除顆粒

SpinRCA

主要优点
  • 化学品和水消耗量低
  • 具有单晶圆处理的所有优点,占用空间小
  • 可适用于不同尺寸的晶圆,因此,具有最高灵活性和生产效率
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 晶圆可达 12 英寸
基板

晶圆、MEMS、光电装置、方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

化學濕法
  • SC1 (Standard Clean 1), SC2 (Standard Clean 2), SPM, dHF
主要技术特点
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 按照最高的安全标准为工人、设备和环境提供最大的安全性
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安装在外部。
  • 所提供的型式:兆声波系统(兆声系统/兆声波喷嘴)

半導體生產中基板的研磨後,拋光後,斜角清潔和其他化學清潔工藝

SpinScrubber

主要优点
  • 化学品和水消耗量低:化学品可回收循环使用
  • 可同时清洗晶圆正面和背面
  • 可处理薄晶圆
  • 一个工艺容器可使用两种不同的清洗介质
  • AP&S 在Demo实验室拥有单片晶圆系统演示
晶圆尺寸 可达 12 英寸
基板

晶圆、MEMS、光电装置、方形基板

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

全國婦女節
  • 研磨
  • 抛光
  • 化学机械研磨 (CMP)
  • 背面工艺
  • 回收
  • 斜面清洗
  • TSV 清洗
主要技术特点
  • 模组化设计,配置方便,升级灵活
  • 按照最高的安全标准为工人、设备和环境提供最大的安全性
  • 占用空间小,易于搬迁迁入系统
  • 无尘室内部无需昂贵的化学品管理系统空间,该系统可安装在外部。
  • 根据要求,可提供客户定制清洗工艺介质

“我们的目标是提供前段和后段生产链所需的全系列湿法工艺解决方案。我们与客户合作,不断开发先进的新工艺,如:在目前市场上独特的 AP&S 金属剥离工艺.”

劳费尔 (Laufer) 女士指出

联系方式

销售团队

+49 771 8983-0