半导体生产中的晶圆批处理

主要优点

• 一台干燥设备可处理最大尺寸可达 300 mm 的不同衬底，可同时处理25 片或 50 片晶圆
• 晶圆厚度 120 至 2000 µm，无需改动
• 可作为独立设备，也可集成于湿法设备中
• 平均处理时间 10 - 12 分钟

晶圆尺寸 最大可达 12 英寸

基板

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

材料配置

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃、其他

工艺

异丙醇和氮气干燥工艺

主要技术特点

• 适用于高边或低边花篮
• 异丙醇消耗量低：≤ 30 毫升/批次
• 非常适合于薄晶圆
• 符合：CE、SemiS2 和 S8、FM 4910、SECS/GEM标准
• 已验证的可靠性：

• 平均故障间隔时间 MTBF ≥ 800 h

  运行效率 ≥ 97 %

主要优点

• 智能、模块化结构，安装和维护方便、成本低，具有高度的升级灵活性
• 无需改动就可处理不同尺寸和厚度的晶圆
• 卓越的可靠性，正常运行效率 ≥ 97 %

晶圆尺寸 最大可达 8 英寸

衬底

晶圆、MEMS、光电装置、光掩膜、玻璃衬底

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、玻璃

工艺

• 不同的湿法清洗工艺
• RCA
• 扩散前
• 金属沉积前
• 各种蚀刻工艺，包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物

主要技术特点

• 占用空间小
• 工具配置可按照未来产品/工艺的变化和客户需求进行经济地调整
• 处理 4 英寸到 6 英寸的 2 x 25 个晶圆批量或 25 x 8 英寸个基板 
• 符合FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE标准
• 通过最新软件技术进行工艺控制：传感器 - 软件接口，适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录（消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录）、个性化菜单。

主要优点

• 一台设备可处理不同尺寸的晶圆：8 英寸到 12 英寸
• 可处理 40 到 200µm 不同厚度的晶圆 / TAIKO 最大厚度为 2000 µm 的双层晶圆
• 一台设备可组合处理化学品和溶剂工艺
• 一台设备可处理不同种类沾污
• 不同的晶圆盒外形（高边或底边）

晶圆尺寸 最大可达 12 英寸

衬底

晶圆

晶圆材料

硅、氮化镓

工艺

• 不同的湿法清洗工艺
• RCA
• 溶剂应用
• 一台设备包括溶剂与化学品组合应用
• 扩散前
• 金属沉积前
• 各种蚀刻工艺，包括氧化物、氮化物、多晶、金属和硅化物

主要技术特点

• 适用于 FOUP 系统 (300 mm)
• 适用于 SMIF 系统 (150、200mm)
• 处理 25/50 个晶圆批量
• 自动装载站，包括薄晶圆传送
• 干进 -> 干出处理
• 花篮缓冲区
• 可使用机器人系统或空中行走式无人搬运车 (OHT) 自动装载
• 符合FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE标准
• 通过最新软件技术进行工艺控制：传感器 - 软件接口，适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录（消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录）、个性化菜单。

在这里观看无电子的瓦尔卡尼奥电影 . 在此阅读我们关于该产品的文章

主要优点

• 专为铝或铜电铝和铜垫的凸点下金属层 (UBM) （镍、钯、浸金）设计和优化
• 软件和硬件的特点确保了卓越的沉积均匀性、清洗槽的高使用寿命和卓越性价比。
• 基于工艺的分析仪和优化剂量可提供全面的工艺控制和最高的可靠性

晶圆尺寸 6 英寸、8 英寸和 12 英寸

衬底

晶圆

晶圆材料

硅、碳化硅、氮化镓

工艺

铝和铜垫的无电 UBM（镍、钯、金）

主要技术特点

• 适用于 FOUP 系统 (300 mm)
• 适用于 SMIF 系统 (150、200mm)
• 处理晶圆尺寸为 6 英寸到 12 英寸的 25 或 50 个晶圆批量
• 可使用高边或低边花篮
• 干进 -> 干出处理
• 符合：FM 4910、SEMI S2 和 S8、SECS、GEM、CE
• 通过最新软件技术进行工艺控制：传感器 - 软件接口，适用于内部跟踪系统、大量的工艺记录（消耗、介质、温度、清洗循环、运行结束、登录）、个性化菜单。

自2009年以来，AP&S的设备被用于批量生产的凸点下金属化工艺。由于对工艺性能的要求越来越高，我们进行了各种优化，以满足未来对芯片设计的要求。通过修改工艺槽内电解质溶液的流体动力学行为的关键特征，沉积的均匀性得到了显著的改善。今年（2020年），工具的设计有了深刻的改变，并增加了新的技术特征。